MOSFET F3710S

EAC00013

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Transistor: N-MOSFET, unipolar, HEXFET, 100V, 57A, 200W, D2PAK

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Fabricante: INTERNATIONAL RECTIFIER
Tipo de transistor: N-MOSFET
Polarización: unipolar
Tipo de transistor: HEXFET
Tensión drenaje-fuente: 100v
Corriente del drenaje: 57A
Potencia: 200W
Carcasa: D2PAK
Tensión puerta-fuente: 20V
Resistencia en estado de transferencia: 23mΩ
Resistencia térmica conector-carcasa: 750mK/W
Montaje: SMD
Carga de puerta: 86.7nC

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